Effects of Na incorporation and plasma treatment on Bi2S3 ultra-thin layers

Abstract

Las películas delgadas de sulfuro de bismuto depositadas, preparadas por medio de una deposición química del baño, se trataron con Argón AC plasma. En este trabajo se presentan los resultados de las modificaciones físicas observadas Cuando se aplicó un pretratamiento, que contenía una solución de hidróxido de sodio 1 M, a los sustratos de vidrio antes Depositar el sulfuro de bismuto. Las películas finas de sulfuro de bismuto se caracterizaron por difracción de rayos X, energía Espectroscopia de rayos X dispersiva, microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, UV-VIS, y eléctrica mediciones. El análisis XRD demostró una mejora en las propiedades cristalinas, así como una Incremento en el tamaño del cristal. El valor de la brecha de banda de energía se calculó como 1,60 eV. Cambios en la fotoconductividad (Σp) también se observaron debido al pretratamiento en NaOH. Un valor de σp = 6,2 × 10-6 (Ω cm) -1 fue Encontrado para muestras cultivadas en sustratos sin pretratamiento, y un valor de σp = 0,28 (Ω cm) -1 para las muestras Cultivadas sobre sustratos con pretratamiento. Tales valores de σp son óptimos para la mejora de células solares basadas en Sobre películas delgadas Bi2S3 como material absorbente.