MEDICION DE TEMPERATURA USANDO UN VCO INTEGRADO EN SILICIO

MONTOYA SUAREZ, E.; SANDOVAL IBARRA, E.; ORTEGA CISNEROS, S.

dc.contributor.author	MONTOYA SUAREZ, E.
dc.contributor.author	SANDOVAL IBARRA, E.
dc.contributor.author	ORTEGA CISNEROS, S.
dc.date.accessioned	2017-04-04T17:19:41Z
dc.date.available	2017-04-04T17:19:41Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.issn	0035-00IX	es_ES
dc.identifier.uri	http://dspace.uan.mx:8080/jspui/handle/123456789/589
dc.description	The oscillation frequency f0 of a VCO current-starved has been used for sensing temperature ranging from 20 to 99◦C. Since f0 is directly proportional to the short-circuit current of the basic cell delay (NOT gate), and taking into account that this current, ISHORT, is directly proportional to the carrier mobility, it is possible to explain how f0 changes as temperature, T, changes too. This oscillator that was manufactured in a CMOS standard process, N-well, 0.5 µm, 5 V, facilitates the integration of circuitry conditioning, which means the feasibility of integrating the whole sensor system in a chip. Digital circuit measures the frequency f0 each 53 ms because the measure step is deduced from the linear fitting applied to the f0 vs. T characteristic.	es_ES
dc.description.abstract	La frecuencia de oscilación f0 de una corriente de vacío VCO se ha utilizado para detectar temperaturas que varían de 20 a 99◦C. Dado que f0 es directamente proporcional a la corriente de cortocircuito del retardo de la célula básica (puerta NOT), y teniendo en cuenta que esta corriente, ISHORT, es directamente proporcional a la movilidad de la portadora, es posible explicar cómo f0 cambia como temperatura, T, cambia también. Este oscilador que se fabricó en un proceso estándar CMOS, N-pozo, 0,5 μm, 5 V, facilita la integración del acondicionamiento de circuitos, lo que significa la factibilidad de integrar todo el sistema de sensores en un chip. El circuito digital mide la frecuencia f0 cada 53 ms debido a que el paso de medición se deduce del ajuste lineal aplicado a la característica f0 frente a T.	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.publisher	Revista Mexicana de Fisica	es_ES
dc.relation.uri	Público en general	es_ES
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	es_ES
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0	es_ES
dc.source	http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57021213011	es_ES
dc.subject	Osciladores	es_ES
dc.subject	teoría de circuitos	es_ES
dc.subject	mediciones eléctricas	es_ES
dc.subject	dispositivos de efecto de campo	es_ES
dc.subject	Oscillators	es_ES
dc.subject	circuits theory	es_ES
dc.subject	electrical measurements	es_ES
dc.subject	field effect devices	es_ES
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA [7]	es_ES
dc.title	MEDICION DE TEMPERATURA USANDO UN VCO INTEGRADO EN SILICIO	es_ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/article	es_ES