Indium sulfide thin films as window layer in chemically deposited solar cells

Abstract

Las películas delgadas de sulfuro de indio (In2S3) se han sintetizado mediante la técnica de deposición de un baño químico sobre sustratos de vidrio usando In (NO3) 3 como precursor de indio y tioacetamida como fuente de azufre. Los estudios de difracción de rayos X han demostrado que el estado cristalino de las películas preparadas y recocidas es β-In2S3. Se obtuvieron valores de banda óptica entre 2,27 y 2,41 eV para estas películas. Las películas delgadas In2S3 son fotosensibles con un valor de conductividad eléctrica en el rango de 10-3-10-7 (Ω cm) -1, dependiendo de las condiciones de preparación de la película. Hemos demostrado que las películas delgadas In2S3 obtenidas en este trabajo son candidatos adecuados para ser utilizadas como capa de ventana en células solares de película delgada. Estas películas se integraron en estructuras de células solares SnO2: F / In2S3 / Sb2S3 / PbS / C-Ag, que mostraban una tensión de circuito abierto de 630 mV y una densidad de corriente de cortocircuito de 0,6 mA / cm2.