Resumen:
Las películas delgadas de sulfuro de indio (In2S3) se han sintetizado mediante la técnica de deposición de un baño químico sobre sustratos de vidrio usando In (NO3) 3 como precursor de indio y tioacetamida como fuente de azufre. Los estudios de difracción de rayos X han demostrado que el estado cristalino de las películas preparadas y recocidas es β-In2S3. Se obtuvieron valores de banda óptica entre 2,27 y 2,41 eV para estas películas. Las películas delgadas In2S3 son fotosensibles con un valor de conductividad eléctrica en el rango de 10-3-10-7 (Ω cm) -1, dependiendo de las condiciones de preparación de la película. Hemos demostrado que las películas delgadas In2S3 obtenidas en este trabajo son candidatos adecuados para ser utilizadas como capa de ventana en células solares de película delgada. Estas películas se integraron en estructuras de células solares SnO2: F / In2S3 / Sb2S3 / PbS / C-Ag, que mostraban una tensión de circuito abierto de 630 mV y una densidad de corriente de cortocircuito de 0,6 mA / cm2.
Descripción:
Indium sulfide (In2S3) thin films have been synthesized by chemical bath deposition technique onto glass substrates using In(NO3)3 as indium precursor and thioacetamide as sulfur source. X-ray diffraction studies have shown that the crystalline state of the as-prepared and the annealed films is β-In2S3. Optical band gap values between 2.27 and 2.41 eV were obtained for these films. The In2S3 thin films are photosensitive with an electrical conductivity value in the range of 10− 3–10− 7 (Ω cm)− 1, depending on the film preparation conditions. We have demonstrated that the In2S3 thin films obtained in this work are suitable candidates to be used as window layer in thin film solar cells. These films were integrated in SnO2:F/In2S3/Sb2S3/PbS/C–Ag solar cell structures, which showed an open circuit voltage of 630 mV and a short circuit current density of 0.6 mA/cm2.
Repositorio Institucional Aramara
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