Physical properties of chemically deposited Bi2S3 thin films using two post-deposition treatments

Abstract

Las películas delgadas de sulfuro de bismuto depositadas (Bi2S3) preparadas mediante la técnica de deposición química del baño se trataron con recocido térmico en atmósfera de aire y plasma de argón AC. Las pelıculas delgadas Bi2S3 de recubrimiento térmico y de tratamiento por plasma han sido caracterizadas por difracción de rayos X (XRD), análisis de microscopıa de fuerza atómica (AFM), transmisión, reflectancia especular y mediciones eléctricas. Se comparan las propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de las películas. El análisis XRD mostró que ambos tratamientos posteriores a la deposición, transforman las películas delgadas de fase amorfa a cristalina. La medición de microscopía de fuerza atómica (AFM) mostró una reducción de la rugosidad de las películas tratadas en plasma. El valor de separación de la banda de energıa de la pelıcula ası preparada fue Eg = 1,61 eV, mientras que para la pelıcula el recocido térmico fue Eg = 1,60 eV y Eg = 1,56 eV para la pelıcula tratada con Plasma. La conductividad eléctrica bajo iluminación de las películas preparadas fue de 3,6 × 10-5 (Ω cm) -1, mientras que el valor de conductividad para las películas recocidas térmicamente fue 2,0 × 10-3 (Ω cm) -1 y para el plasma tratado La conductividad eléctrica aumenta hasta 7,7 × 10-2 (Ω cm) -1.