EFFECTS OF NA INCORPORATION AND PLASMA TREATMENT ON BI2S3 ULTRA THIN LAYERS

Abstract

Las películas delgadas de sulfuro de bismuto depositadas como se prepararon por medio de un baño químico de deposición se trataron con argón AC plasma. En este artículo, presentamos los resultados sobre las modificaciones físicas que se observaron cuando se aplicó un tratamiento previo, que contenía una solución de hidróxido de sodio 1 M, a los sustratos de vidrio antes de depositar el sulfuro de bismuto. Las películas delgadas de sulfuro de bismuto se caracterizaron por difracción de rayos X, espectroscopia de rayos X de dispersión de energía, microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, UV-VIS y mediciones eléctricas. El análisis de XRD demostró una mejora en las propiedades cristalinas, así como un incremento en el tamaño del cristal. El valor del intervalo de la banda de energía se calculó como 1.60 eV. También se observaron cambios en los valores de fotoconductividad (σp) debido al tratamiento previo en NaOH. Se encontró un valor de σp = 6.2 × 10− 6 (Ω cm) - 1 para muestras cultivadas en sustratos ...