Resumen:
Las películas delgadas de sulfuro de bismuto depositadas como se prepararon por medio de un baño químico de deposición se trataron con argón AC plasma. En este artículo, presentamos los resultados sobre las modificaciones físicas que se observaron cuando se aplicó un tratamiento previo, que contenía una solución de hidróxido de sodio 1 M, a los sustratos de vidrio antes de depositar el sulfuro de bismuto. Las películas delgadas de sulfuro de bismuto se caracterizaron por difracción de rayos X, espectroscopia de rayos X de dispersión de energía, microscopía electrónica de barrido, microscopía de fuerza atómica, UV-VIS y mediciones eléctricas. El análisis de XRD demostró una mejora en las propiedades cristalinas, así como un incremento en el tamaño del cristal. El valor del intervalo de la banda de energía se calculó como 1.60 eV. También se observaron cambios en los valores de fotoconductividad (σp) debido al tratamiento previo en NaOH. Se encontró un valor de σp = 6.2 × 10− 6 (Ω cm) - 1 para muestras cultivadas en sustratos ...
Descripción:
As-deposited bismuth sulfide thin films prepared by means of a chemical bath deposition were treated with argon AC plasma. In this paper, we present the results on the physical modifications which were observed when a pre-treatment, containing a solution of 1 M sodium hydroxide, was applied to the glass substrates before depositing the bismuth sulfide. The bismuth sulfide thin films were characterized by X-ray diffraction, energy dispersive X-ray spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, UV–VIS, and electrical measurements. The XRD analysis demonstrated an enhancement in the crystalline properties, as well as an increment in the crystal size. The energy band gap value was calculated as 1.60 eV. Changes in photoconductivity (σp) values were also observed due to the pre-treatment in NaOH. A value of σp = 6.2 × 10− 6 (Ω cm)− 1 was found for samples grown on substrates …
Repositorio Institucional Aramara
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