Resumen:
En este trabajo presentamos un método para producir películas de policristalino CuSbS2 a través de una reacción en estado sólido a 350ºC y 400ºC que involucran multicapas de película delgada de Sb2S3-CuS o C2-x Se mediante técnica de baño químico. La formación de esta sustancia se confirmó mediante la separación por rayos X (DRX). Una brecha de banda optica1 directa de aprox. Se midieron 1.57 eV y una conductividad eléctrica de tipo p de 103 (Ω.cm). Estas características optoelectrónicas muestran el uso de CuSbS2 como material absorbente adecuado en aplicaciones fotovoltaicas.
Descripción:
In this paper we present amethod to produce polycrystalline CuSbS2 thin ?lms tbrough a solid-state reaction at 350ºC and 400ºC involving thin?lm multilayer of Sb2S3-CuS or C2-x Se by chemical bathdeposition technique. The formationoftheterna:ry compound was con:firmed by X-ray di?raction (XRD). A direct optica1 band gap of approx. 1.57 eV and a p-type electrical conductivity of 103 (Ω.cm) were m.easured. These optoelectronic chamcteristics showperspective forthe use of CuSbS2 as a suitable absorber material in photovoltaic applications.
Repositorio Institucional Aramara
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