THIN FILMS OF AGIN5 (S/SE) 8 PREPARED IN A TWO STAGE PROCESS

Abstract

Las películas delgadas de AgIn5 (S / Se) 8 se prepararon mediante deposición química secuencial de películas apiladas In2S3-Ag2Se y recocido térmico posterior a la deposición en atmósfera de N2. Las formaciones de aleación AgIn5S8 − xSex fueron alcanzables a través del tratamiento posterior a la deposición a 350 y 400 ° C. Se realizaron análisis de rayos X por difracción de rayos X y dispersión de energía en las muestras. Se encontró que el valor del intervalo de banda óptica directa E g para las películas era del orden de 1,75 eV a temperatura ambiente. Las medidas de respuesta fotográfica mostraron que las películas delgadas de AgIn5 (S / Se) 8 son fotoconductoras y conductividad eléctrica de tipo p de 6,6 × 10−6 (Ω cm) −1 y potencia termoeléctrica de +18 µV / K.