Resumen:
Las películas delgadas de AgIn5 (S / Se) 8 se prepararon mediante deposición química secuencial de películas apiladas In2S3-Ag2Se y recocido térmico posterior a la deposición en atmósfera de N2. Las formaciones de aleación AgIn5S8 − xSex fueron alcanzables a través del tratamiento posterior a la deposición a 350 y 400 ° C. Se realizaron análisis de rayos X por difracción de rayos X y dispersión de energía en las muestras. Se encontró que el valor del intervalo de banda óptica directa E g para las películas era del orden de 1,75 eV a temperatura ambiente. Las medidas de respuesta fotográfica mostraron que las películas delgadas de AgIn5 (S / Se) 8 son fotoconductoras y conductividad eléctrica de tipo p de 6,6 × 10−6 (Ω cm) −1 y potencia termoeléctrica de +18 µV / K.
Descripción:
AgIn5 (S/Se) 8 thin films were prepared by sequential chemical deposition of In2S3–Ag2Se stack films and post-deposition thermal annealing in N2 atmosphere. The formations of AgIn5S8−xSex alloy was achievable through the post-deposition treatment at 350 and 400 °C. X-ray diffraction and energy dispersive X-ray analyses were performed on the samples. The direct optical band gap value E g for the films was found to be as the order of 1.75 eV at room temperature. The photo-response measurements exhibited that AgIn5(S/Se)8 thin films are photoconductive and p-type electrical conductivity of 6.6 × 10−6 (Ω cm)−1 and thermoelectric power of +18 µV/K.
Repositorio Institucional Aramara
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